7月5日至10日，应中国科学院特殊环境功能材料与器件重点实验室邀请，印度安那大学、SSN工程学院教授（SSN College of Engineering, Anna University, India）P. Ramasamy到中国科学院新疆理化技术研究所进行学术交流。   

    访问期间，分别作了题为Unidirectional Growth of Crystals From Solution、Nucleation Kinetics and Crystal Growth Aspects、Crystal growth from Melt的学术报告。报告中，Ramasamy详细介绍了“Sankaranarayanan -Ramasamy（SR）”溶液法定向生长大尺寸光学晶体的研究成果和进展，并通过与传统溶液法生长技术的对比，展示了SR方法在晶体尺寸大、质量好、可定向生长、简便、快速等方面的优势。新疆理化所40余名科研人员和研究生听取了报告，并与Ramasamy就相关问题进行了热烈的学术讨论。  

　　为推进实施国家“一带一路”倡议，加强新疆理化所与Ramasamy及印度安那大学（SSN 工程学院）的合作交流，双方签署了创建“中-印晶体生长联合实验室”框架协议。联合实验室成立后，双方将在学术互访、联合科研攻关、交换培养研究生等方面进行深入的合作。会后，Ramasamy被聘为新疆理化所客座研究员，新疆理化所副所长潘世烈为其颁发了聘书。 

    印度SSN工程学院由印度著名实业家Sri Sivasubramaniya Nadar于1996年建立，位于印度金奈。最初隶属于印度安娜大学，1998年独立建院，是印度一所知名的工程技术研究单位。 

    P. Ramasamy，印度安娜大学教授，创办了印度安娜大学晶体生长中心并任主任，印度SSN工程学院晶体生长中心主任。他长期从事人工晶体的生长技术研究，在国际上享有很高的知名度，已发表700余篇学术论文、撰写7部专著，培养博士研究生92名，被誉为“印度晶体生长之父”。以他和他的弟子的名字命名的晶体生长方法“Sankaranarayanan -Ramasamy”method已在多个国家的科研机构获得应用。 

Ramasamy作报告